AIN氮化鋁,晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系?；瘜W(xué)組成?AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無(wú)色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對(duì)熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。

性能指標(biāo)

?(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；

?(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；

?(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良；

?(4)機(jī)械性能好，抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；

?(5)光傳輸特性好；

?(6)無(wú)毒；

注：1.表面光潔度經(jīng)拋光處理后，Ra≤0.1μm；

2.產(chǎn)品各向尺寸精度通過(guò)激光劃線保證，最小值±0.10mm；

3.特殊規(guī)格產(chǎn)品可按客戶要求定制生產(chǎn)。

??氮化鋁陶瓷片(也叫薄膜金屬化基板)廣泛應(yīng)用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領(lǐng)域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等。

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