Description
超導(dǎo)TO-220半導(dǎo)體制冷專用 氮化鋁陶瓷雙面渡銅 絕緣散熱片
定做 超導(dǎo)TO220 絕緣散熱片 氮化鋁雙面渡銅 半導(dǎo)體制冷用途 陶瓷 導(dǎo)熱系數(shù)理論高達320/Wm·K氮化鋁雙面鍍銅，金屬化，線路板 ！
氮化鋁導(dǎo)熱陶瓷 有著良好的導(dǎo)熱性能廣泛應(yīng)用于： 薄膜金屬化基板廣泛應(yīng)用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領(lǐng)域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等
AIN氮化鋁,晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價鍵化合物，具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu)，屬六方晶系?；瘜W(xué)組成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，單晶無色透明，常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)（4.0-6.0）X10（-6）/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達260W/(m.k)，比氧化鋁高5-8倍，所以耐熱沖擊好，能耐2200℃的極熱。此外，氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性，特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。
性能指標
?(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K)，接近BeO和SiC，是Al2O3的5倍以上；
?(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配；
?(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強度)優(yōu)良；
?(4)機械性能好，抗折強度高于Al2O3和BeO陶瓷，可以常壓燒結(jié)；
?(5)光傳輸特性好；
?(6)無毒
| AlN陶瓷基片主要性能指標 | |
| 性能內(nèi)容 | 性能指標 |
| 熱導(dǎo)率(W/m·k） | ≥170 |
| 體積電阻率（Ω·cm） | ＞1013 |
| 介電常數(shù)[1MHz,25℃] | 9 |
| 介電損耗[1MHz,25℃] | 3.8х10-4 |
| 抗電強度(KV/mm) | 17 |
| 體積密度（g/cm3） | ≥3.30 |
| 表面粗糙度Ra(μm) | 0.3~0.5 |
| 熱膨脹系數(shù)[20℃ to 300℃](10-6/℃) | 4.6 |
| 抗彎強度(MPa) | 320~330 |
| 彈性模量(GPa) | 310~320 |
| 莫氏硬度 | 8 |
| 吸水率(%) | 0 |
| 翹曲度(~/25(長度)) | 0.03~0.05 |
| 熔點 | 2500 |
| 外觀/顏色 | 灰白色 |
注：1.表面光潔度經(jīng)拋光處理后，Ra≤0.1μm；
2.產(chǎn)品各向尺寸精度通過激光劃線保證，最小值±0.10mm；
3.特殊規(guī)格產(chǎn)品可按客戶要求定制生產(chǎn)。
氮化鋁陶瓷片(也叫薄膜金屬化基板)廣泛應(yīng)用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領(lǐng)域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等。
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