陶瓷金屬化

超導(dǎo)絕緣接觸耐高溫環(huán)保氮化鋁陶瓷散熱片導(dǎo)熱系數(shù)320K 。氮化鋁雙面渡銅,氮化鋁導(dǎo)熱陶瓷 有著良好的導(dǎo)熱性能廣泛應(yīng)用于: 薄膜金屬化基板廣泛應(yīng)用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領(lǐng)域。訂購電話:0755-89814655
? ?非標(biāo)訂做制冷片 ,散熱片
氮化鋁導(dǎo)熱陶瓷 有著良好的導(dǎo)熱性能廣泛應(yīng)用于: 薄膜金屬化基板廣泛應(yīng)用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領(lǐng)域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等

AIN氮化鋁,晶體以〔AIN4〕四面體為結(jié)構(gòu)單元共價(jià)鍵化合物,具有纖鋅礦型結(jié)構(gòu),屬六方晶系?;瘜W(xué)組成?AI 65.81%,N 34.19%,比重3.261g/cm3,白色或灰白色,單晶無色透明,常壓下的升華分解溫度為2450℃。為一種高溫耐熱材料。熱膨脹系數(shù)(4.0-6.0)X10(-6)/℃。多晶AIN熱導(dǎo)率達(dá)260W/(m.k),比氧化鋁高5-8倍,所以耐熱沖擊好,能耐2200℃的極熱。此外,氮化鋁具有不受鋁液和其它熔融金屬及砷化鎵侵蝕的特性,特別是對熔融鋁液具有極好的耐侵蝕性。

性能指標(biāo)

?(1)熱導(dǎo)率高(約320W/m·K),接近BeO和SiC,是Al2O3的5倍以上;

?(2)熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5-4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配;

?(3)各種電性能(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)優(yōu)良;

?(4)機(jī)械性能好,抗折強(qiáng)度高于Al2O3和BeO陶瓷,可以常壓燒結(jié);

?(5)光傳輸特性好;

?(6)無毒;

AlN陶瓷基片主要性能指標(biāo)

性能內(nèi)容

性能指標(biāo)

熱導(dǎo)率(W/m·k)

≥170

體積電阻率(Ω·cm)

>1013

介電常數(shù)[1MHz,25℃]

9

介電損耗[1MHz,25℃]

3.8х10-4

抗電強(qiáng)度(KV/mm)

17

體積密度(g/cm3)

≥3.30

表面粗糙度Ra(μm)

0.3~0.5

熱膨脹系數(shù)[20℃?to?300℃](10-6/℃)

4.6

抗彎強(qiáng)度(MPa)

320~330

彈性模量(GPa)

310~320

莫氏硬度

8

吸水率(%)

0

翹曲度(~/25(長度))

0.03~0.05

熔點(diǎn)

2500

外觀/顏色

灰白色

注:1.表面光潔度經(jīng)拋光處理后,Ra≤0.1μm;

2.產(chǎn)品各向尺寸精度通過激光劃線保證,最小值±0.10mm;

3.特殊規(guī)格產(chǎn)品可按客戶要求定制生產(chǎn)。

 

 

??氮化鋁陶瓷片(也叫薄膜金屬化基板)廣泛應(yīng)用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領(lǐng)域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等。

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